企业简介
厦门市三安光电科技有限公司 位于福建厦门，主营 LED芯片、高亮四元红黄芯片、ITO蓝光白光芯片、500-540纯绿高亮芯片 等。公司秉承“顾客上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户”的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾！
厦门市三安光电科技有限公司的工商信息
- 350200100010674
- 91350200671274264M
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
- 2008年05月13日
- 林科闯
- 36000.000000
- 2008年05月13日 至 2028年05月12日
- 厦门市市场监督管理局
- 2018年03月29日
- 厦门市思明区吕岭路1721号综合楼五楼
- 工程和技术研究和试验发展；光电子器件及其他电子器件制造；其他机械设备及电子产品批发；经营各类商品和技术的进出口（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外。
厦门市三安光电科技有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 三安光电股份有限公司 | www.sanan-e.com |
| 网站 | 三安光电股份有限公司 | http://www.sanan-e.com/ |
厦门市三安光电科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN101656275A | 一种倒装型多结化合物太阳电池芯片的制备方法 | 2010.02.24 | 一种倒装型多结化合物太阳电池芯片的制备方法，采用气象外延的方法制备倒装结构的多结化合物太阳电池，在转 |
| 2 | CN105742438A | 一种氮化物发光二极管 | 2016.07.06 | 本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，n型掺杂沟道区域 |
| 3 | CN103388178B | III族氮化物外延结构及其生长方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种III族氮化物外延结构及其生长方法，其III族氮化物的外延结构，至少包括：Si衬底， |
| 4 | CN105720138A | 发光二极管及其制作方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种具有立体式扩展电极的发光二极管及其制作方法，其结构包括第一连接层、发光层、第二连接层 |
| 5 | CN105789402A | 倒装LED芯片的制作方法 | 2016.07.20 | 本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于 |
| 6 | CN205845911U | 一种顶针座 | 2016.12.28 | 本实用新型提供一种顶针座，用于在芯粒分选时，从薄膜上顶起芯粒，便于分选装置转移芯粒，包括基座、分布的 |
| 7 | CN106252470A | 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 | 2016.12.21 | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管及其制作方法，提供一生长基板；在生长基板上制作发光外延层，其自下而上 |
| 8 | CN106229287A | 用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法 | 2016.12.14 | 本发明公开了一种用于微元件的转移的转置头及微元件的转移方法，所述转置头包括：腔体；若干真空路径，分别 |
| 9 | CN106229400A | 一种发光二极管及其制作方法 | 2016.12.14 | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法。一种发光二极管，包含：磊晶基板；N型半导体层，位于所述磊晶基 |
| 10 | CN106206896A | 复合图形化蓝宝石衬底及其外延片的制作方法 | 2016.12.07 | 本发明提出一种复合图形化蓝宝石衬底及其外延片的制作方法，包括：先制作图形化蓝宝石衬底，再藉由金属Ni |
| 11 | CN106206397A | 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法，所述薄膜包括基材和设置于所述基材上的粘合 |
| 12 | CN106486575A | 一种薄膜发光二极管芯片及其制作方法 | 2017.03.08 | 本发明公开了一种薄膜发光二极管芯片及其制作方法，包括：永久基材和位于其上的发光结构，所述发光结构为I |
| 13 | CN104947089B | 一种可实时监控应力的MOCVD设备 | 2017.05.03 | 本发明公开了一种可实时监控应力的MOCVD设备，包括MOCVD反应腔、可调节高度的显微镜、可实时调节 |
| 14 | CN106601657A | 微元件的转移系统、转移方法、制造方法、装置和电子设备 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备，其中微元件的转移系统，包括：主 |
| 15 | CN104561929B | 一种MOCVD反应系统 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种MOCVD反应系统，其包括：反应腔体、设于反应腔体轴心上的载片盘和加热组件、设于反应 |
| 16 | CN206098372U | 一种DBR卡环 | 2017.04.12 | 本实用新型提供了一种DBR卡环，具备4个卡扣和1个平边，其中在DBR蒸镀过程中4个卡扣位置与晶圆在P |
| 17 | CN104701431B | 一种发光二极管的外延结构及其制作方法 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制作方法，采用量子点作为发光层多量子阱结构（MQW）的量子阱 |
| 18 | CN106449922A | 一种发光二极管的制作方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，外延生长发光外延层，由N型半导体层、 |
| 19 | CN106449498A | 用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法，包括：具有真空路径的腔体，以及具有若干个吸 |
| 20 | CN104485402B | 图形化蓝宝石衬底的制作方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底的制作方法，其包括步骤：1）提供一蓝宝石衬底，具有相对的第一表面和第 |
| 21 | CN106449951A | 一种发光二极管封装结构的制作方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种发光二极管封装结构的制作方法，包括工艺步骤：提供一暂时基板，定义其包括功能区和非功能 |
| 22 | CN103747597B | 白光照明系统及其控制方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一白光照明系统及其控制方法，包括：发光元件，由至少二个发光二极管组成，其可操作产生白光； |
| 23 | CN106374020A | 一种薄膜芯片的制作方法及其薄膜芯片 | 2017.02.01 | 本发明公开了一种薄膜芯片的制作方法及其薄膜芯片，包括：提供一发光外延片，所述发光外延片由生长衬底和发 |
| 24 | CN104347776B | 一种LED结构及其制备方法 | 2017.01.25 | 本发明提供一种LED结构及其制备方法，其中结构包括衬底、位于所述衬底之上的第一半导体层、位于所述第一 |
| 25 | CN106328576A | 用于微元件转移的转置头的制作方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种用于微元件转移的转置头的制作方法，所述转置头包括：具有真空路径的腔体，以及具有阵列式 |
| 26 | CN106328773A | 一种氮化物发光二极管及其制作方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，在P型氮化物和N型氮化物中插入应力控制层/反射层/电磁 |
| 27 | CN106299040A | 一种薄膜倒装发光组件的制作方法及其薄膜倒装发光组件 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种薄膜倒装发光组件的制作方法及其薄膜倒装发光组件，包括：提供一发光外延片，所述发光外延 |
| 28 | CN106298513A | 一种HBT制造方法 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种HBT制造方法，是对半导体基片依次进行发射极台面腐蚀以留出发射极的电极形成区域并露出 |
| 29 | CN106206898A | 一种发光二极管的制作方法 | 2016.12.07 | 本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括：提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；将所述金属Ni层图案化， |
| 30 | CN106169528A | 一种发光二极管结构及其制作方法 | 2016.11.30 | 本发明提出了一种发光二极管结构及其制作方法，包括：衬底，以及生长在衬底表面的发光外延层和分布布拉格反 |
| 31 | CN106169526A | 一种氮化物发光二极管 | 2016.11.30 | 本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括：衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，应力控制层，P型氮 |
| 32 | CN205692861U | 一种紫外发光二极管封装结构 | 2016.11.16 | 本实用新型公开了一种紫外发光二极管封装结构，包括：陶瓷支架、Al碗杯、LED芯片以及封装罩体，所述支 |
| 33 | CN106057723A | 微元件的转移方法、装置及电子设备 | 2016.10.26 | 本发明公开了一种微元件的转移方法、装置及电子设备，包含步骤：在第一基板上放置至少一个微元件；采用仿生 |
| 34 | CN106057993A | 一种薄膜垂直发光组件及其制作方法 | 2016.10.26 | 本发明公开了一种薄膜垂直发光组件及其制作方法，包括：包括：永久基板和位于其上的发光结构，所述发光结构 |
| 35 | CN106025037A | 一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法，包括：支架、LED芯片以及封装罩体，所述支架上形 |
| 36 | CN106025024A | 一种氮化物发光二极管及其制作方法 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，V‑pi |
| 37 | CN103996773B | 一种倒装发光二极管结构及其制作方法 | 2016.09.28 | 本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括： |
| 38 | CN104201229B | 多结太阳能电池及其制备方法 | 2016.09.28 | 本发明公开了一种多结太阳能电池及其制备方法，其结构至少包括晶格失配的第一子电池和第二子电池，一渐变缓 |
| 39 | CN105932128A | 一种氮化物发光二极管的外延结构 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构，通过在多量子阱发光区的V‑pits上方填充钝化层/DBR |
| 40 | CN105914265A | 一种GaAs基发光二极管及其制作方法 | 2016.08.31 | 一种GaAs基发光二极管及其制作方法，依次包括衬底，DBR反射层，N型半导体层，量子阱发光层，P型半 |
| 41 | CN104319304B | 多结太阳能电池及其制备方法 | 2016.08.24 | 本发明提供一种多结太阳能电池及其制备方法，其中结构包括：多结太阳能电池，包括：第一外延结构和位于其上 |
| 42 | CN104124311B | 一种制作发光二极管钝化保护层的方法 | 2016.08.24 | 本发明提供一种制作发光二极管钝化保护层的方法，包括步骤：在发光二极管生长完钝化保护层薄膜后，通过高温 |
| 43 | CN105870273A | 一种氮化物发光二极管 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V形坑，第一AlN/Al<su |
| 44 | CN105845794A | 一种氮化物发光二极管 | 2016.08.10 | 本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，In量子点/InN和Al量子点/AlN组 |
| 45 | CN205449132U | 一种发光二极管外延片测试系统 | 2016.08.10 | 一种发光二极管外延片测试系统，用于对完成外延生长后的晶片进行光电参数检测，检测所述晶片的外延生长状况 |
| 46 | CN105810791A | 倒装LED芯片的制作方法 | 2016.07.27 | 本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于 |
| 47 | CN105785254A | 一种晶片测试装置及其测试方法 | 2016.07.20 | 一种晶片测试装置及其测试方法，所述晶片测试装置利用外延成分具有一定区域的均匀性，对所述区域内的芯粒光 |
| 48 | CN105762240A | 一种紫外发光二极管外延结构及其制备方法 | 2016.07.13 | 本发明公开一种紫外发光二极管外延结构及其制备方法，包括：提供一衬底；先生长高温AlN层；然后生长低温 |
| 49 | CN105742423A | 发光二极管及其制作方法 | 2016.07.06 | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中发光二极管包括：依次包括：n型氮化物层、有源层、p型电子 |
| 50 | CN105742433A | 一种AlGaInP发光二极管 | 2016.07.06 | 一种AlGaInP发光二极管，从下至上依次包括衬底，DBR反射层，N型半导体层，量子阱发光层，P型半 |
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